IBM, Globalfoundries и Samsung представили первый в отрасли транзистор GAAFET для 5-нанометровых микросхем
IBM вместе со своими партнерами по проекту Research Alliance — компаниями Globalfoundries и Samsung, а также поставщиками оборудования разработала первый в отрасли техпроцесс для изготовления транзисторов с нанослоями кремния. Как сообщается, эти транзисторы позволят выпускать 5-нанометровые микросхемы. Отметим, что около двух лет назад IBM представила первые в отрасли 7-нм микросхемы, а Samsung с большой вероятностью начнет отгрузку 7-нм чипов в следующем году. Вместе с тем, нынешний анонс представляется еще более важным достижением в области полупроводникового производства.